Informations du cours
Objectifs:Ce présent document est dédié aux étudiants de la formation Licence option
électronique dans le cadre du programme officiel. Même en étude supérieur, les
étudiants qui désirent approfondir leurs connaissances ou avoir un document de base en
matière physique de semi-conducteur.
Les éléments de base de la physique de de semi-conducteur sont très intéressant
Puisque, d'une part, le cours s'adresse à des étudiants de formations électronique, d'autre
part, la physique des semi-conducteurs fait appel la chimie solide, qui peut conduire
l'électricité dans certaines conditions mais pas dans d'autres, ce qui en fait un bon moyen
de contrôler un courant électrique. En effet, ses propriétés électriques lui permettent à
la fois d'être conducteur (comme les métaux) et isolant. Le cours dans sa globalité est
conçu de manière à développer une bonne compréhension des mécanismes physiques
qui sont à la base des applications des semi-conducteurs. Une importance particulière
est donc donnée au contenu physique des développements théoriques plutôt qu'à leur
aspect mathématique. Pour cette raison, les développements théoriques sont, parfois au
détriment de leur rigueur, fortement simplifiés par rapport à ceux rencontrés dans la
plupart des livres traitant de notion des semi-conducteurs. Le cours est structuré selon
un fil conducteur dont la logique permet de mettre en évidence l'énorme progrès réalisé
par l'homme dans le domaine de la maîtrise de la physique de semi-conducteur. Ce
support de cours passe, en effet, progressivement par quatre chapitres :
Le premier chapitre destiné à la description des semi-conducteurs les plus
célèbres, le silicium Si et le germanium Ge de la colonne IV du tableau périodique. Ces
deux semi-conducteurs sont composés d’atomes identiques.
Dans le deuxième chapitre en concentre sur la jonction PN qui désigne une zone
du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage P à un dopage N, ainsi
que la jonction PN polarisée, effets d’une polarisation et les types des diodes.
Le troisième chapitre introduit la description de transistors bipolaires NPN, PNP,
principe de fonctionnement, Caractéristique et valeurs limites des transistors en fin le
schéma équivalent.
Le dernier chapitre peut imaginer d'autres dispositifs similaires aux celles de
précèdent chapitre, mais caractérisés par un mode d'attaque différent cet objet connu
sous le nom (FET) répond à la définition précédente : ce sont des sources de courant
commandées en tension.
Ce cours oral a été enseigné au département de génie électrique, à l'université Larbi
Tébessa - TEBESSA - pour les étudiants en formation LMD. J’ai essayé d'en retirer les
idées nécessaires, dans un but pédagogique avec des simples exemples comme des
démonstrations, mais celles-ci sont également traitées en détail surtout lorsqu'elles sont
essentielles à la bonne compréhension du résultat.
- Enseignant: AOUICHE ABDELAZIZ