معلومات المساق

Objectifs:Ce présent document est dédié aux étudiants de la formation Licence option électronique dans le cadre du programme officiel. Même en étude supérieur, les étudiants qui désirent approfondir leurs connaissances ou avoir un document de base en matière physique de semi-conducteur. Les éléments de base de la physique de de semi-conducteur sont très intéressant Puisque, d'une part, le cours s'adresse à des étudiants de formations électronique, d'autre part, la physique des semi-conducteurs fait appel la chimie solide, qui peut conduire l'électricité dans certaines conditions mais pas dans d'autres, ce qui en fait un bon moyen de contrôler un courant électrique. En effet, ses propriétés électriques lui permettent à la fois d'être conducteur (comme les métaux) et isolant. Le cours dans sa globalité est conçu de manière à développer une bonne compréhension des mécanismes physiques qui sont à la base des applications des semi-conducteurs. Une importance particulière est donc donnée au contenu physique des développements théoriques plutôt qu'à leur aspect mathématique. Pour cette raison, les développements théoriques sont, parfois au détriment de leur rigueur, fortement simplifiés par rapport à ceux rencontrés dans la plupart des livres traitant de notion des semi-conducteurs. Le cours est structuré selon un fil conducteur dont la logique permet de mettre en évidence l'énorme progrès réalisé par l'homme dans le domaine de la maîtrise de la physique de semi-conducteur. Ce support de cours passe, en effet, progressivement par quatre chapitres : Le premier chapitre destiné à la description des semi-conducteurs les plus célèbres, le silicium Si et le germanium Ge de la colonne IV du tableau périodique. Ces deux semi-conducteurs sont composés d’atomes identiques. Dans le deuxième chapitre en concentre sur la jonction PN qui désigne une zone du cristal où le dopage varie brusquement, passant d'un dopage P à un dopage N, ainsi que la jonction PN polarisée, effets d’une polarisation et les types des diodes. Le troisième chapitre introduit la description de transistors bipolaires NPN, PNP, principe de fonctionnement, Caractéristique et valeurs limites des transistors en fin le schéma équivalent. Le dernier chapitre peut imaginer d'autres dispositifs similaires aux celles de précèdent chapitre, mais caractérisés par un mode d'attaque différent cet objet connu sous le nom (FET) répond à la définition précédente : ce sont des sources de courant commandées en tension. Ce cours oral a été enseigné au département de génie électrique, à l'université Larbi Tébessa - TEBESSA - pour les étudiants en formation LMD. J’ai essayé d'en retirer les idées nécessaires, dans un but pédagogique avec des simples exemples comme des démonstrations, mais celles-ci sont également traitées en détail surtout lorsqu'elles sont essentielles à la bonne compréhension du résultat.